Điện toán và dữ liệu - Gắn kết cùng nhau

Ông Robert B. Crooke, Phó chủ tịch cấp cao và Tổng giám đốc Bộ phận Giải pháp về Bộ nhớ không khả biến Tập đoàn Intel, đã có những chia sẻ về sự kết hợp giữa điện toán và dữ liệu trong thời đại bùng nổ về các thiết bị kết nối thông minh, dịch vụ kỹ thuật số và ứng dụng đám mây đồng thời giới thiệu các công nghệ mới về bộ nhớ và lưu trữ của Intel.

Ông Robert B. Crooke, Phó chủ tịch cấp cao và Tổng giám đốc Bộ phận Giải pháp về Bộ nhớ không khả biến Tập đoàn Intel, đã có những chia sẻ về sự kết hợp giữa điện toán và dữ liệu trong thời đại bùng nổ về các thiết bị kết nối thông minh, dịch vụ kỹ thuật số và ứng dụng đám mây đồng thời giới thiệu các công nghệ mới về bộ nhớ và lưu trữ của Intel.

Điều này đã đem đến những trải nghiệm mới trên mọi phương diện trong cuộc sống của chúng ta, từ các thành phố thông minh đến các phương tiện giao thông vận tải tự động, y học chuẩn xác, trải nghiệm chơi game sống động như thật và còn nhiều lĩnh vực khác.

Nhờ vào các phép phân tích để có những cái nhìn sâu sắc có giá trị thực tế và kịp thời tạo điều kiện cho các phát hiện mới và cải thiện chất lượng dịch vụ trong các lĩnh vực như giải trình tự gen, dự đoán thời hạn bảo dưỡng nhà máy và phát hiện gian lận trong ngành bán lẻ.

Sự phát triển của khối lượng dữ liệu và các khả năng điện toán ngày càng phức tạp là một cơ hội tuyệt vời để cải tiến các thiết bị và công nghệ điện toán đám mây. Tuy nhiên, thách thức lớn nhất nằm ở việc thu hẹp khoảng cách giữa các dữ liệu và bộ vi xử lý trung tâm (CPU).

Trong lịch sử, phát triển về việc cải cách hiệu năng của bộ nhớ luôn đi sau cải cách hiệu năng của CPU tạo ra các tình huống mà CPU phải đợi dữ liệu xuất ra từ bộ nhớ. Ngoài ra, chúng ta bị giới hạn bởi khối lượng của bộ nhớ và khoảng cách từ bộ nhớ đến CPU. Hai hạn chế này đã tạo ra hiện tượng “nghẽn cổ chai” dữ liệu. Kết quả là một lỗ hổng công nghệ giữa DRAM và ổ đĩa cứng. Nhưng tình hình này đang thay đổi khi các công nghệ mới đang dần đáp ứng nhu cầu của bộ nhớ và lưu trữ.

Intel đang dẫn đầu thúc đẩy sáng tạo để đẩy mạnh phát triển bộ nhớ và lưu trữ với tốc độ nhanh hơn nhằm loại bỏ hiện tượng “nghẽn cổ chai”. Intel tin rằng 2 sáng kiến công nghệ mới nhất, công nghệ 3D XPoint và 3D NAND, là chìa khóa để bắt kịp tốc độ phát triển của khối lượng dữ liệu ngày càng tăng và khả năng điện toán ngày càng phức tạp.

Bộ nhớ lớn hơn và tốc độ lưu trữ nhanh hơn đem lại giá trị đáng kể cho các đám mây, cho phép chúng ta tự động hóa và phân tích khối lượng dữ liệu ngày càng tăng một cách hiệu quả, nhờ đó các doanh nghiệp sẽ vận hành với năng suất cao hơn.

Facebook và Intel đang hợp tác phát triển công nghệ Intel Optane và Facebook đang cố gắng tái cấu trúc hệ thống lưu trữ của mình để tận dụng tối đa công nghệ này.

Sự xuất hiện của bộ lưu trữ có tốc độ nhanh hơn và bộ nhớ có khối lượng lớn giúp các thiết bị có khả năng tạo các trải nghiệm 3D sống động với tương tác như thật. Với bộ nhớ lớn hơn và lưu trữ nhanh hơn, các lập trình viên có thể đem đến trải nghiệm chơi game như mơ.

 Công nghệ 3D XPoint là một đột phá tạo ra một thế hệ mới về bộ nhớ có thể giảm chi phí, và các thỏa hiệp về hiệu năng và sức mạnh mà hầu hết các nhà xây dựng hệ thống phải chấp nhận khi thiết kế các giải pháp về lưu trữ và bộ nhớ. Công nghệ này cho phép bộ nhớ có khối lượng lớn hơn và lưu trữ có tốc độ nhanh hơn để tăng tốc truy cập vào các dữ liệu “nóng” thường xuyên được sử dụng nhất trong các máy chủ và thiết bị. Công nghệ 3D NAND cho phép cung cấp lưu trữ lớn hơn nhiều với chi phí rẻ hơn. Các ổ cứng dạng rắn SSD của Intel có tốc độ nhanh hơn ổ đĩa cứng gấp 100 lần, giúp giảm thời gian khởi động, tăng tốc độ đăng tải các video và chơi game mượt hơn. SSD có độ ổn định cao hơn ổ đĩa cứng gấp 10 lần, giúp bảo vệ dữ liệu cá nhân tốt hơn. Sẽ ra sao nếu như chúng ta có thể đặt một terabyte (TB) dữ liệu (khoảng 250.000 bài hát) lên một diện tích cỡ con tem thư…


PHÚ QUỐC

Tin cùng chuyên mục